22. 类似光学中的反射和折射现象,用磁场或电场调控也能实现质子束的“反射”和“折射”。如图所示,在竖直平面内有三个平行区域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ;Ⅰ区宽度为d,存在磁感应强度大小为B、方向垂直平面向外的匀强磁场,Ⅱ区的宽度很小。Ⅰ区和Ⅲ区电势处处相等,分别为 $\varphi _ { \mathrm { l } }$ 和 $\varphi _ { \mathrm { I I I } }$ ,其电势差 $U = \varphi _ { \mathrm { I } } - \varphi _ { \mathrm { I I I } }$ 。一束质量为m、电荷量为 e的质子从O 点以入射角q射向Ⅰ区,在P点以出射角q射出,实现“反射”;质子束从P点以入射角q射入Ⅱ区,经Ⅱ区“折射”进入Ⅲ区,其出射方向与法线夹角为“折射”角。已知质子仅在平面内运动,单位时间发射的质子数为N,初速度为 $\nu _ { 0 }$ ,不计质子重力,不考虑质子间相互作用以及质子对磁场和电势分布的影响。
(1)若不同角度射向磁场的质子都能实现“反射”,求d的最小值;
(2)若 $U = \frac { m \nu _ { 0 } ^ { 2 } } { 2 e }$ ,求“折射率”n(入射角正弦与折射角正弦的比值)
(3)计算说明如何调控电场,实现质子束从P点进入Ⅱ区发生“全反射”(即质子束全部返回Ⅰ区)
(4)在P点下方距离 $\frac { \sqrt { 3 } m \nu _ { 0 } } { e B }$ 处水平放置一长为 $\frac { 4 m \nu _ { 0 } } { e B }$ 的探测板CQD(Q 在P的正下方),CQ长为
$\frac { m \nu _ { 0 } } { e B }$ ,质子打在探测板上即被吸收中和。若还有另一相同质子束,与原质子束关于法线左右对称,同时从$O$ 点射入Ⅰ区,且 $\theta = 3 0 ^ { \circ }$ ,求探测板受到竖直方向力F的大小与U之间的关系。

(1) $\frac { 2 m \nu _ { 0 } } { B e }$; (2) $\sqrt { 2 }$; (3) $U \leq - \frac { m \nu _ { 0 } ^ { 2 } \cos ^ { 2 } \theta } { 2 e }$; (4) 见解析