17. 超纯 $\mathrm { G a } ( \mathrm { C H } _ { 3 } ) _ { 3 }$ 是制备第三代半导体的支撑源材料之一，近年来，我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术，在研制超纯 $\mathrm { G a } ( \mathrm { C H } _ { 3 } ) _ { 3 }$ 方面取得了显著成果，工业上以粗镓为原
料，制备超纯 $\mathrm { G a } ( \mathrm { C H } _ { 3 } ) _ { 3 }$ 的工艺流程如下：
已知：①金属Ga的化学性质和Al相似，Ga的熔点为 $2 9 . 8 \mathrm { ^ \circ C }$
② $\mathrm { E t } _ { 2 } \mathrm { O } ( \mathrm { Z }$ 醚)和 $\mathrm { N R } _ { 3 }$ (三正辛胺)在上述流程中可作为配体；
③相关物质的沸点：
<table><tr><td>物质</td><td> $\text{Ga(CH}_3\text{)}_3$ </td><td> $\text{Et}_2\text{O}$ </td><td> $\text{CH}_3\text{I}$ </td><td> $\text{NR}_3$ </td></tr><tr><td>沸点/°C</td><td>55.7</td><td>34.6</td><td>42.4</td><td>365.8</td></tr></table>
回答下列问题：
（1）晶体 $\mathrm { G a } ( \mathrm { C H } _ { 3 } ) _ { 3 }$ 的晶体类型是 ；
（2）“电解精炼”装置如图所示，电解池温度控制在 $4 0 - 4 5 ^ { \circ } \mathrm { C }$ 的原因是 \_，阴极的电极反应式为
出料口 阳极残液出口
（3）“合成 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { 3 } \left( \mathrm { E t } _ { 2 } \mathrm { O } \right)$ ”工序中的产物还包括 $\mathrm { M g I } _ { 2 }$ 和 $\mathrm { C H } _ { 3 } \mathrm { M g I }$ ，写出该反应的化学方程式：
（4）“残渣”经纯水处理，能产生可燃性气体，该气体主要成分是
（5）下列说法错误的是A. 流程中 $\mathrm { E t } , \mathrm { O }$ 得到了循环利用B. 流程中，“合成 $\mathrm { G a } _ { 2 } \mathrm { M g } _ { 5 }$ ”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行C. “工序X”的作用是解配 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { 3 } \left( \mathrm { N R } _ { 3 } \right)$ ，并蒸出 $\mathrm { G a } \big ( \mathrm { C H } _ { 3 } \big ) _ { 3 }$ D. 用核磁共振氢谱不能区分 $\mathrm { G a } \big ( \mathrm { C H } _ { 3 } \big ) .$ 和 $\mathrm { C H } _ { 3 } \mathrm { I }$
（6）直接分解 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { 3 } \left( \mathrm { E t } _ { 2 } \mathrm { O } \right)$ 不能制备超纯 $\mathrm { G a } \big ( \mathrm { C H } _ { 3 } \big ) _ { 3 }$ ，而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯$\mathrm { G a } \big ( \mathrm { C H } _ { 3 } \big ) _ { 3 }$ 的理由是
（7）比较分子中的 $\mathrm { C - G a - C }$ 键角大小： $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { 3 }$ $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { 3 } \left( \mathrm { E t } _ { 2 } \mathrm { O } \right)$ (填 $\arg 3 9 6 < \Re ( \arg 3 )$ ，其原因是
(1) 分子晶体; (2) ①. 保证Ga 为液体，便于纯Ga流出 ②. $\mathrm { G a } ^ { 3 + } { + } 3 \mathrm { e } ^ { - } { = } \mathrm { G a }$ >; (3) $\mathrm { 8 C H _ { 3 } I + 2 E t _ { 2 } O + G a _ { 2 } M g _ { 5 } = 2 G a \left( C H _ { 3 } \right) _ { \scriptscriptstyle 3 } \left( E t _ { 2 } O \right) + 3 M g I _ { 2 } + 2 C H _ { 3 } M g I }$ ； >; (4) $\mathrm { C H } _ { 4 }$; (5) D >; (6) $\mathrm { N R } _ { 3 }$ 沸点较高，易与 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right) _ { \updownarrow }$ 分离， $\mathrm { E t _ { 2 } O }$ 的沸点低于 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right)$ ， 一起气化，难以得到超纯 $\mathrm { G a } \left( \mathrm { C H } _ { 3 } \right)$; (7) ①. > ②. $\mathrm { G a } ( \mathrm { C H } _ { 3 } ) _ { 3 }$ 中 Ga 为 $\mathsf { s p } ^ { 2 }$ 杂化，所以为平面结构，而 $\mathrm { G a ( C H _ { 3 } ) _ { 3 } ( E t _ { 2 } O ) }$ 中 Ga 为 $\mathsf { s p } ^ { 3 }$ 杂化，所以为四面体结构，故夹角较小