5. AlN、GaN属于第三代半导体材料,二者成键结构与金刚石相似,晶体中只存在N-Al键、N-Ga
键。下列说法错误的是
参考答案
A
2022_山东卷 (化学)
5. AlN、GaN属于第三代半导体材料,二者成键结构与金刚石相似,晶体中只存在N-Al键、N-Ga
键。下列说法错误的是
A
【答案】A
【解析】
【分析】Al 和 Ga 均为第ⅢA 元素,N 属于第ⅤA 元素,AlN、GaN 的成键结构与金刚石相似,则其为共
价晶体,且其与金刚石互为等电子体,等电子体之间的结构和性质相似。AlN、GaN 晶体中,N 原子与其
相邻的原子形成 3 个普通共价键和 1 个配位键。
【详解】A.因为 AlN、GaN 为结构相似的共价晶体,由于Al 原子的半径小于 Ga,N— Al 的键长小于
N— Ga 的,则N— Al 的键能较大,键能越大则其对应的共价晶体的熔点越高,故 GaN 的熔点低于 AlN,
A 说错误;
B.不同种元素的原子之间形成的共价键为极性键,故两种晶体中所有化学键均为极性键,B 说法正确;
C.金刚石中每个C 原子形成 4 个共价键(即C 原子的价层电子对数为 4) ,C 原子无孤电子对,故 C 原子
均采取 sp3杂化;由于 AlN、GaN 与金刚石互为等电子体,则其晶体中所有原子均采取 sp3 杂化,C 说法正
确;
D.金刚石中每个 C 原子与其周围 4 个 C 原子形成共价键,即C 原子的配位数是 4,由于 AlN、GaN 与金
刚石互为等电子体,则其晶体中所有原子的配位数也均为 4,D 说法正确。
综上所述,本题选 A。